Gallium-nitrid technológián alapuló, és a meglévő gyártó létesítmények, törzs mérnöki nyújthat egy lehetséges módszer a mikro-kijelző.
A törzs alapuló mérnöki, indium gallium-nitrid (InGaN) több quantum wells, a University of Michigan birtokol fejlett egy monolitikus integrált sárga-zöld-kék LED (1. ábra). A törzs mérnöki érhető el különböző átmérőjű nano-oszlopok rézkarc.
1. ábra. A különböző átmérőjű, a nano-oszlop led tömb a Top-down gyártási sematikus
A kutatók remél-hoz termel egy piros-zöld-kék led a jövőben 635nm fényes quantum jól, amely egy járható módszer a mikrokijelzőn ebben pixel alapján vezetett. Más lehetséges alkalmazások magukban foglalják a megvilágítás, bioszenzorok és optikai genetika.
Támogatja a nemzeti tudományos Alapítvány (NSF) Samsung támogatja a gyártási és a berendezések tervezését. Kutatók azt remélik, hogy dolgozzon ki egy chip-szint Többszínű LED platform alapú meglévő gyártási infrastruktúra.
Epitaxiális anyagok termesztik 2-lassan mászik nem mintás zafír fém szerves kémiai gőzfázisú leválasztás (MOCVD) segítségével. Világító aktív áll 5 2 5nm InGaN csapdák elválasztva egy 12nm gan kapu. Az elektronikus réteg és a P-kapcsolat-réteg áll 20nm gallium-nitrid (P-al0.2ga0.8N) és 150nm P-gan ill.
A Nano-oszlop használatával electron beam litográfia képződik, és a nikkel maszk használatos a vegyes nedves és száraz a gyártási folyamat. A maratás a legtöbb száraz induktív csatolású plazma, és a nedves rézkarc fázis használják a végleges átmérő és károk eltávolítása a száraz rézkarc lépés. A maratási mélységet 300nm szól. A teljes gyártási folyamat során a rézkarc maszk védi a P-gan felület védelmére.
Után a plazma-növel kémiai gőzfázisú (PECVD) 50nm szilícium-nitrid végeztek, szerkezete alakult N és P-gan alkotórészek elkülönítése egy rotációs-bevonatú üveg használatával.
Száraz korrózió a lapos struktúra kitenni az oszlop csúcsa. Távolítsa el a nikkel maszk anyagával szemben a salétromsav oldat. P-kapcsolat-nikkel/arany Fémezés termikusan lágyítják a levegőben.
A készülék elektromos teljesítmény 5V fordított elfogultság alacsony szivárogtak ki a 3 x 10-7a / pixel mutatja. Az alacsony szivárgás tulajdonított két tényező-a lapos quantum is biztosít egy alacsony jelenlegi kiszorítás hatás, és a korlátozás a törzs által kezdeményezett fuvarozó, a központ a nano-oszlop. A kockázat egy csökkentett hatása miatt nagyobb áramsűrűség egy szűkebb oszlop javítható azáltal, hogy csökkenti a törzs, így csökkenti a quantum limit "éles" az elektromos mező okozta a díj polarizációs kémiai kötések a nitrid-ban.
A képpontok áll oszlopok különböző átmérőjű, és a különböző színű (2. ábra). Minél nagyobb az átmérője, a hullámhossz hosszabb lesz, és a módosítás nagyobb. A kutatók a változás tulajdonított kvantum változások jól vastagsága az ostya.
QQ screenshot 20170916103202. png
2. ábra. szoba hőmérséklet Elektrolumineszcens spectra-kék (487nm), zöld (512nm), Orange (575nm) és sárga (600nm) nyert 50nm, 100nm és 800nm átmérőjű nano oszlopok és vékony film vezetett pixel.
(b) a fény hullámhossza, egydimenziós stressz relaxációs elmélet nyert.
(c) a helyzet, a fő csúcs alatt különböző feszültség elfogult.
A feszültség és a jelenlegi injekciózást növekedésével több és több laza keskeny nanocsövek azt is mutatják, kisebb hullámhosszú kék shift. 800nm átmérőjű nano oszlop pixel blue shift 2.8V és 4V között 40nm. Ez annak köszönhető, hogy a kutatócsoport, szitálás keresztül a törzs-függő feszültség mező a csapdába.
A csapat az elfogultság feszültség rögzített és változtatott a intenzitású az impulzus frekvencia moduláció, így stabilizálni a kimenő hullámhosszúság legalább a pixel. Keresztül ez a kísérlet bebizonyosodik, hogy mindenféle pixel stabil hullámhosszú és relatív Elektrolumineszcens intenzitását, és a vám arányát a pulse-jel szinte lineárisan változik. Az impulzus szélessége is 400μs. Az impulzus frekvencia 200Hz és 2000Hz között változik.
